品牌:日本明电舍 介绍:开发了一种可以使用纯臭氧水实现的强大氧化促进方法,预计将在半导体工艺中用于去除高离子注入的光刻胶。 浓度:0.3~1.0升/分钟 特点:可产生臭氧水浓度高达400 mg/L或更高。 应用: 高离子浓度光刻胶去除的半导体晶圆
纯臭氧水
持久专注