为什么ALD越来越依赖高活性氧化剂？

ALD是一种典型的表面自限性反应。

每一个循环通常包括：

金属前驱体吸附；

惰性气体吹扫；

氧化剂反应；

再次吹扫。

其中，氧化剂的任务不仅是提供氧元素，更重要的是彻底去除吸附在表面的有机配体。

例如常见的金属有机前驱体中，通常含有：

–CH₃（甲基）

–C₂H₅（乙基）

amidinate（脒基）

cyclopentadienyl（环戊二烯基）

β-diketonate（β-二酮配体）

如果这些配体不能完全氧化，就会在薄膜中残留碳、氮等杂质。

对于几十纳米甚至几纳米厚度的介质层而言，这些微量杂质都可能导致：

介电常数下降；

漏电流增加；

界面陷阱密度升高；

器件可靠性降低。

因此，提高氧化反应效率，始终是ALD技术发展的重要方向。